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產(chǎn)品展示 PRODUCT

碳化硅氮化鎵氧化鎵晶圓厚度TTV測試儀
碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等，具體取決于其應(yīng)用場景和制造工藝。例如，碳化硅晶圓片的厚度可以達(dá)到130微米（um），而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm、3-5mm等多種規(guī)格?12。碳化硅在不...
藍(lán)寶石厚度TTV測試儀
非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
非接觸硅片厚度TTV測試儀
非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
非接觸厚度TTV測試儀
非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
晶圓厚度TTV測試儀
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的厚度測量是至關(guān)重要的一環(huán)，它直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。為了滿足高精度測量的需求，我們研發(fā)了一款對射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測量設(shè)備，專門用于晶圓厚度的精確測量
金剛石厚度TTV測試儀
金剛石膜檢測與測試報(bào)告檢測項(xiàng)目金剛石膜的檢測項(xiàng)目主要包括以下幾個(gè)方面：膜厚度、晶體結(jié)構(gòu)、表面粗糙度、附著力、熱穩(wěn)定性及耐磨性等。
硅片厚度TTV測試儀
硅片厚度測試的方法主要包括非接觸式光學(xué)測量技術(shù)，如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中，反射率法是通過測量不同角度下光線的反射率變化來計(jì)算硅片厚度，而干涉法則是利用光的干涉現(xiàn)象來測量厚...
非接觸半絕緣方阻測試儀
非接觸式半絕緣方阻測量技術(shù)可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,比如材料表面導(dǎo)電性測試、薄膜導(dǎo)電性測量、電路板測試等。它具有測量快速、精度高、不損傷被測物體等優(yōu)點(diǎn)。

ABOUT US

關(guān)于我們 ABOUT

公司成立于2021年，是一家注冊在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體，主要攻克國外壟斷技術(shù)，替代進(jìn)口產(chǎn)品，使半導(dǎo)體材料測試設(shè)備國產(chǎn)化。主要產(chǎn)品：非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率（霍爾）測試儀、少子壽命測試儀，晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，申請各項(xiàng)知識產(chǎn)權(quán)20余項(xiàng)，已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場口碑。

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2021年

公司成立

1000萬

注冊資金

28個(gè)

專利技術(shù)

365天

用心服務(wù)每一天

ARTICLES

技術(shù)文章 ARTICLES

2025-05-28
無損電阻率測試儀在地質(zhì)勘探中的作用
無損電阻率測試儀是一種用于測試物質(zhì)電阻率的儀器，特別適用于不希望對樣品造成任何損害的檢測場合。這種測試儀廣泛應(yīng)用于工程檢測、材料分析以及質(zhì)量控制等領(lǐng)域。通過不同的物理原理和方法，可以實(shí)現(xiàn)對材料電阻率的精確測量，且不會對樣品本身產(chǎn)生任何物理或化學(xué)上的影響。無損電阻率測試儀的工作原理：1.接觸式測量原理通過在材料表面放置電極，施加一定的電流，并測量電壓降落。根據(jù)歐姆定律\(R=\frac\)（電阻R等于電壓V與電流I之比），可以計(jì)算出電阻值。而電阻率是電阻與樣品的幾何...
2025-04-30
捕捉粒子運(yùn)動軌跡：遷移率測試儀操作全流程解析
遷移率測試儀是用于測量材料中載流子（如電子、離子）遷移速率的專業(yè)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、新能源電池、納米材料等領(lǐng)域。其通過精確控制電場、溫度等條件，量化載流子在材料中的移動能力，為材料性能評估與研發(fā)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。一、使用前準(zhǔn)備（一）設(shè)備檢查使用前需全面檢查遷移率測試儀各部件狀態(tài)。查看主機(jī)外殼是否完好，確認(rèn)顯示屏、操作按鈕、接口等無損壞；檢查電場發(fā)生裝置、溫度控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集模塊等核心組件連接是否穩(wěn)固。特別要檢查測試腔密封性，確保無漏氣、漏液現(xiàn)象，避免外部環(huán)境干擾測試結(jié)果。同...
2025-04-12
碳化硅半絕緣片電阻率測試
半絕緣碳化硅與導(dǎo)電性碳化硅在電特性和應(yīng)用領(lǐng)域上差異顯著。半絕緣碳化硅，作為一種電阻率較高的材料，其電阻率范圍通常在10^5-10^12Ω.cm，非常適用于高溫、高電壓環(huán)境，如電力電子設(shè)備和電動汽車部件。而導(dǎo)電性碳化硅，電阻率低，位于10^-3-10^-2Ω.cm之間，更適合低壓、高電流場景，如功率半導(dǎo)體和射頻電子器件。此外，由于成分和制備工藝的差異，導(dǎo)電性碳化硅的成本相對較高，而半絕緣碳化硅則因其電性能要求較低而成本更為親民。因此，在選擇材料時(shí)，需根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境來決定：高溫...
2025-03-28
無損方塊電阻測試儀的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？
無損方塊電阻測試儀是一種用于測量材料表面電阻的儀器，特別適用于評估半導(dǎo)體材料、電導(dǎo)體、絕緣體以及其他具有電導(dǎo)性能的材料。與傳統(tǒng)的電阻測試方法不同，通過非接觸方式進(jìn)行測量，無需破壞或接觸被測試材料的表面，具有高精度、高效率和對測試對象的保護(hù)作用。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子元器件、材料科學(xué)、表面處理等領(lǐng)域。在工業(yè)生產(chǎn)過程中，檢測電導(dǎo)性能可以有效地保證產(chǎn)品質(zhì)量，確保制造過程中材料的電學(xué)性能符合標(biāo)準(zhǔn)要求。無損方塊電阻測試儀的主要特點(diǎn)：1.無接觸測試大的優(yōu)勢之一就是其無接觸性。傳統(tǒng)的電阻測...
2025-02-28
非接觸電阻率測試儀：電氣材料特性的新一代測量工具
非接觸電阻率測試儀是一種先進(jìn)的電氣測量工具，旨在精準(zhǔn)測量材料的電阻率而無需與樣品直接接觸。這種儀器在電子、材料科學(xué)、電氣工程和環(huán)保監(jiān)測等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。隨著科技進(jìn)步和市場需求的增加，應(yīng)用場景正在不斷擴(kuò)展。非接觸電阻率測試儀的工作原理：1.電磁感應(yīng)原理：利用高頻電流通過探頭產(chǎn)生的電磁場與樣品的相互作用，來測量材料的電阻特性。儀器通過變化電磁場的強(qiáng)度和頻率，從而分析材料的電導(dǎo)和電阻率。2.反射和透射技術(shù)：通過向樣品發(fā)射電信號，并分析其反射或透射回來的信號，以確定材料的電阻率。這...
2025-02-18
硅片電阻率測試儀的維護(hù)工作涉及到的方方面面
硅片電阻率測試儀的維護(hù)工作對于確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和儀器的使用壽命至關(guān)重要。日常清潔外殼與電極清潔：定期使用干細(xì)棉布或擦拭紙輕輕擦拭測試儀的外殼，去除灰塵、油污等雜質(zhì)，防止其進(jìn)入儀器內(nèi)部影響性能。對于測量電極部分，更要仔細(xì)清潔，可使用干凈的棉簽蘸取少量酒精進(jìn)行擦拭，去除電極上的污垢和殘留物，但要注意避免液體接觸到儀器內(nèi)部的電子元件。顯示面清潔：先用拭鏡紙輕輕擦拭顯示面表面，去除灰塵和指紋等污漬，然后再用棉花棒沾工業(yè)用酒精，輕輕擦拭顯示面表面，并需等酒精揮發(fā)后，再裝回去。注意擦...